2030 yılında 1 trilyon transistör amacı
2 min read
Son devirde global çip krizi ile küresel enflasyon nedeniyle yenilik geliştirmede yavaşlamalar olacağı ve Moore yasasının rafa kalkacağı savlarının tersine Intel maddeyi devam ettirmekte kararlı. Moore yasası devam edecek
Yeni üretim süreçleri konusunda rakiplerinden hayli geriye düşen ve TSMC ile üretim paydaşlığı yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde kıymetli adımlar atarak tekrar rekabete katılmayı amaçlıyor.
Intel yaptığı açıklamada Moore yasasını devam ettirebilmek ismine 2030 yılına kadar yeni bir program geliştirdiğini belirtti. Bu programda transistör yoğunlukları 10 kat artarken 3 atom kalınlığında yenilikçi malzemeler kullanılacak.
Silikon malzemesinin kısıtlamalarını aşabilmek için dökümcüler farklı malzemeler test ederken verimliliği arttırmak için de yeni dizilim yolları kullanıyor. Samsung ve TSMC yeni süreçlerde birden fazla nano ilişki noktasını yan yana değil istifleme halinde dizen GAA teknolojisine geçiş yapmıştı.
Intel ise 4 ve 3nm süreçlerine kadar ilişki noktalarını yan yana istifleme tekniğini kullanırken sonrasında ise GAA tekniğine geçmeyi planlıyor. Ayrıyeten PowerVia art kısım güç dağıtım teknolojisi ve RibbonFET teknolojisi ile de verimliliği arttıracak.
Diğer taraftan Ryzen 3D tekniğine benzeri halde transistörlerin üzerine ferroelektrik kapasitörler ile bellek yerleştiren FeRAM teknolojisi, çok daha verimli güç transferine müsaade verecek 300 milimetre yonga üzeri GaN tekniği de tekrar yakın gelecekte Intel müşterilerine sunulacak.
